Agencia Estatal Boletín Oficial del Estado

El Arancel Integrado de Aplicación (TARIC) fue adaptado completamente, por última vez por Resolución de 5 de Diciembre de 2002 (Boletín Oficial del Estado del 24 de Diciembre de 2002) y parcialmente por la Resolución de 17 de diciembre de 2002 (BOE de 17 de enero de 2003), Resolución de 22 de enero de 2003 (BOE de 7 de febrero de 2003), Resolución de 24 de febrero de 2003 (BOE de 6 de marzo de 2003) y en último lugar por la Resolución de 22 de abril de 2003 (BOE de 6 de mayo de 2003). Habiéndose producido desde esta última, la publicación de diferente normativa comunitaria que supone la variación sobre la actual codificación, se hace necesaria la adaptación de la estructura y codificación del TARIC, sustituyendo los códigos afectados.

Basándose en lo anterior, se acuerda lo siguiente:

Primero.

Actualizar la nomenclatura y codificación del Arancel Integrado de Aplicación (TARIC), reemplazándose los textos de las partidas afectadas por los incluidos como anexo A, y aplicables desde el 16 de mayo de 2003.

Segundo.

Incluir como anexo B, los códigos TARIC que se suprimen a partir del 16 de mayo de 2003.

Tercero.

Actualizar la relación de Códigos Adicionales según los contenidos en el anexo C y aplicables a partir del 16 de mayo de 2003.

Cuarto.

La presente actualización será aplicable desde el 16 de mayo de 2003.

Lo que se dispone para su conocimiento y efectos.

Madrid, 12 de mayo de 2003.–El Director del Departamento, Nicolás Bonilla Penvela.

ANEXO A

Altas de nomenclatura

Codificación	Designación de las mercancías	US	Observaciones
8473.30.10.10	DRAMs (memorias dinámicas de acceso aleatorio), fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, «MOS», incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS).		Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8473.30.10.90	Los demás.		Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8473.50.10.10	DRAMs (memorias dinámicas de acceso aleatorio), fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, «MOS», incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS).		Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8473.50.10.90	Los demás.		Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8542.21.01.10	Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio (D-RAMs).	UN	Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8542.21.01.90	Los demás.	UN	Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8542.21.05.10	Memoria dinámica de lectura-escritura de acceso aleatorio (D-RAMs).	UN	Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8542.21.05.90	Los demás.	UN	Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8548.90.10.10	Densidades y variedades, tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variedades del proceso tecnológico llamado semiconductores de óxido metálico (Metal Oxide-Semiconductors, «MOS», incluidos tipos de MOS complementarios (CMOS).		Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).
8548.90.10.90	Los demás.		Imp. PRO-IQ. Exp. PRX-IQ (TM490).

ANEXO B

Bajas de nomenclatura

Descripción

8473.30.10.00

8473.50.10.00

8542.21.01.00

8542.21.05.00

8548.90.10.00

ANEXO C

Altas de códigos adicionales

CD adicional	Descripción
A437	KR-Corea (Repúblic)	8473.30.10.10 8473.50.10.10 8542.21.01.10 8542.21.05.10 8542.21.11.00 8542.21.13.00 8542.21.15.00 8542.21.17.00 8548.90.10.10	Samsung Electronics Co., Ltd<P>24th Fl., Samsung Main Bldg. <P>250, 2-Ga, Taepyeong-Ro<P>Jung-Gu, Seoul.
A443	CN-China	8714.91.10.19 8714.91.30.19 8714.93.90.90 8714.94.30.90 8714.94.90.19 8714.96.30.90 8714.99.10.90 8714.99.50.90 8714.99.90.19	Derecho anti-dumping suspendido para las siguientes partes bajo examen: Desde el 09.04.2003: <P>PRINCIPIA A/S<P> Frederik Raschs Vej 15<P> 9400 N.ºrresundby, <P> DA.
A999	KR-Corea (Repúblic)	8473.30.10.10 8473.50.10.10 8542.21.01.10 8542.21.05.10 8542.21.11.00 8542.21.13.00 8542.21.15.00 8542.21.17.00 8548.90.10.10	Las demás.